前言

近年来，功率器件领域的创新持续不断。为提高电源的功率密度与转换效率，各功率器件厂商纷纷投身于更新型功率器件封装工艺及形态的探索。如今，功率器件的封装形式已历经变迁，从早期的TO引线封装逐渐演变为TOLL、QFN、SOP、STP等表面贴装类型。

TOLL封装，全称为Transistor Outline Leadless，即无引线功率器件。相较于传统的D²PAK（TO263）封装，TOLL封装体积更轻巧，与PCB板贴合度更高，且具有封装电阻低、寄生电感低、热阻低、电压过冲低以及电流承载能力高等诸多优势，在户外电源、逆变器、电动自行车充电器、BMS系统以及众多大功率电源中得到了广泛应用。

TOLL功率器件一览

充电头网整理了市面部分厂商已推出的部分TOLL功率器件，同时为便于读者朋友查阅，小编将文中出现的多款TOLL部分参数汇总至上表，详细参数请查阅下文。

AOS万国半导体

万国AOTL66810Q

万国AOTL66810Q是通过AEC-Q101认证的车规级80V耐压NMOS，导阻1.25mΩ，采用AlphaSGTTM技术，工作结温175°C，符合RoHS规范。

万国AOTL66912Q

万国AOTL66912Q是通过AEC-Q101认证的车规级100V耐压NMOS，导阻1.7mΩ，采用AlphaSGTTM技术，耐浪涌电流能力强，工作结温175°C，符合RoHS规范。

DanXl氮矽

氮矽DX65TA030

DX65TA030是一款650V, 30mΩ增强型硅基氮化镓（GaN）晶体管，采用TOLL封装与宽禁带技术，实现高功率密度。具备开尔文连接，抗干扰能力强，符合工业标准，具备高可靠性，是高性能电力电子应用的优选方案。该器件采用TOLL封装，能承载高达60A的大电流，适合数据中心电源、AC-DC转换器、PFC 电路、逆变器、Class-D等场景应用。

GaNext镓未来

镓未来G1N65R070TL-H

镓未来G1N65R070TL-H氮化镓器件耐压650V，导阻70mΩ，采用TOLL封装，具有高阈值的强栅极，无需负栅极驱动，导通/关断速度快，可交叉损耗，适合数据中心电源、电信电源、微型逆变器、高电压 DC/DC 转换器以及基于半桥和/或全桥拓扑结构的电动汽车OBC和DC-DC，用于硬开关和/或软开关等场景应用。

镓未来G1N65R035TL-H

镓未来G1N65R035TL-H氮化镓器件耐压650V，导阻35mΩ，采用TOLL封装，具有超低的反向压降，支持简单的栅极驱动，具有更优性能和出色的可靠性。该器件导通/关断速度快，可交叉损耗，适合数据中心电源、电信电源、微型逆变器、高电压 DC/DC 转换器以及基于半桥和/或全桥拓扑结构的电动汽车OBC和DC-DC，用于硬开关和/或软开关等场景应用。

Innoscience英诺赛科

英诺赛科SolidGaN

英诺赛科发布多款基于700V SolidGaN平台新品，具备高开关频率、高功率密度及高散热能力，可实现氮化镓在更高功率电源应用中的极致高效与稳定，兼容传统控制器和驱动器应用生态，实现简单易用，可在1KW~6KW服务器电源、空调电源、工业电源等大功率应用。其中ISG6123TA和ISG6124TA两款型号采用TOLL封装，导阻分别为42mΩ和59mΩ。

Navitas纳微

纳微NV6512C

纳微NV6512C是一颗氮化镓功率开关管，内置驱动器，无需外置，耐压650V，漏极电流41A，导阻55mΩ，支持2MHz开关频率，采用散热增强的TOLL-4L封装，适用于数据中心CRPS、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、DC-DC转换器以及电机驱动等场景应用。

纳微NV6513

纳微NV6512C是一颗氮化镓功率开关管，内置驱动器，无需外置，耐压650V，导阻45mΩ，漏极电流53A，支持2MHz开关频率，采用散热增强的TOLL-4L封装，适用于数据中心CRPS、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、DC-DC转换器以及电机驱动等场景应用。

纳微NV6514C

纳微NV6514C是一颗氮化镓功率开关管，内置驱动器，无需外置，耐压650V，导阻25mΩ，漏极电流90A，支持2MHz开关频率，采用散热增强的TOLL-4L封装，适用于数据中心CRPS、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、DC-DC转换器以及电机驱动等场景应用。

纳微NV6515

纳微NV6515是一颗氮化镓功率开关管，内置驱动器，无需外置，耐压650V，导阻35mΩ，漏极电流65A，支持2MHz开关频率，采用散热增强的TOLL-4L封装，适用于数据中心CRPS、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、DC-DC转换器以及电机驱动等场景应用。

纳微NV6522

纳微NV6522是一颗氮化镓功率开关管，内置驱动器，无需外置，耐压650V，导阻55mΩ，漏极电流41A，支持2MHz开关频率，采用散热增强的TOLT-16L封装，适用于数据中心CRPS、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、DC-DC转换器以及电机驱动等场景应用。

纳微NV6523

纳微NV6523是一颗氮化镓功率开关管，内置驱动器，无需外置，耐压650V，导阻45mΩ，漏极电流53A，支持2MHz开关频率，采用散热增强的TOLT-16L封装，适用于数据中心CRPS、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、DC-DC转换器以及电机驱动等场景应用。

纳微NV6524

纳微NV6524是一颗氮化镓功率开关管，内置驱动器，无需外置，耐压650V，导阻25mΩ，漏极电流90A，支持2MHz开关频率，采用散热增强的TOLT-16L封装，适用于数据中心CRPS、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、DC-DC转换器以及电机驱动等场景应用。

纳微NV6525

纳微NV6525是一颗氮化镓功率开关管，内置驱动器，无需外置，耐压650V，导阻35mΩ，漏极电流65A，支持2MHz开关频率，采用散热增强的TOLT-16L封装，适用于数据中心CRPS、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、DC-DC转换器以及电机驱动等场景应用。

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Vergiga威兆

威兆VS4401AKH

威兆VS4401AKH是一颗增强型NMOS，耐压40V，导阻低至0.85mΩ。

威兆VSK003N08HS-G

威兆VSK003N08HS-G是一颗耐压80V，导阻为2.4mΩ的NMOS，采用VitoMOSⅡ技术制造，具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能。

威兆VSK002N08HC-G

威兆VSK002N08HC-G是一颗耐压80V，导阻为1.3mΩ的NMOS，采用VitoMOSⅡ技术制造，具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能。

威兆VS1696GKH

威兆VS1696GKH是一颗采用VitoMOSⅡ技术制造，耐压100V，导阻为1.8mΩ的NMOS，具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能。

威兆VS1891GKH

威兆VS1891GKH是一颗采用VitoMOSⅡ技术制造，耐压110V，导阻为1.5mΩ的NMOS，具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能，并通过优化Qg、Qgd和Qgd/Qgs比率，将开关损耗降至更低。

威兆VSK002N10HS-G

威兆VSK002N10HS-G是一颗NMOS，耐压100V，导阻1.7mΩ。

威兆VSK009N15HS-G

威兆VSK009N15HS-G是一颗采用VitoMOSⅡ技术制造，耐压150V，导阻为9.2mΩ的NMOS，具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能，并通过优化Qg、Qgd和Qgd/Qgs比率，将开关损耗降至更低。

威兆VSK006N15HS-G

威兆VSK006N15HS-G是一颗采用VitoMOSⅡ技术制造，耐压150V，导阻为4.7mΩ的NMOS，具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能，并通过优化Qg、Qgd和Qgd/Qgs比率，将开关损耗降至更低。

威兆VSK004N15HS-G

威兆VSK006N15HS-G是一颗耐压150V，导阻为3.9mΩ的NMOS，采用VitoMOSⅡ技术制造，具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能，并通过优化Qg、Qgd和Qgd/Qgs比率，将开关损耗降至更低。

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充电头网总结

TOLL封装实现了功率器件的表面贴片封装，该封装将功率器件的体积大幅缩减。这对于各类电源设备而言意义重大，使得电源在追求轻量化、小型化的道路上得以加速前行。TOLL 封装的出现，为相关行业工程师在设计高功率密度电源时提供了有力的技术支持和解决方案，助力实现更高效、更紧凑的电源系统设计，满足现代电子设备对电源性能和体积的严苛要求。